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EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC2012
Fabricant/Marque
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
+6V, -5V
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