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DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
Numéro d'article
DMN30H4D0LFDE-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type E)
Dissipation de puissance (maximum)
630mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
300V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
550mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
187.3pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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