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DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Numéro d'article
DMN26D0UFB4-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur
X2-DFN1006-3
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
230mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14.1pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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Coordonnées
Mots-clés de DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7 Composants électroniques
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