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DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Numéro d'article
DMN2300UFB4-7B
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur
X2-DFN1006-3
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
64.3pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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