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DMN2029USD-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Numéro d'article

DMN2029USD-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

1.2W

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.8A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 10V

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