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DMN2011UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Numéro d'article

DMN2011UFDF-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

U-DFN2020-6 (Type F)

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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