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DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Numéro d'article
DMN2011UFDF-7
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Dissipation de puissance (maximum)
2.1W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
14.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2248pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
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En stock 25892 PCS
Mots-clés de DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7 Composants électroniques
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