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CDBJSC51200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Numéro d'article
CDBJSC51200-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-2
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-2
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyenne redressée (Io)
5A (DC)
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Courant - Fuite inverse @ Vr
100µA @ 1200V
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
1200V
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F
475pF @ 0V, 1MHz
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