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CEDM8001VL TR

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883

Numéro d'article

CEDM8001VL TR

Fabricant/Marque

Central Semiconductor Corp

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-101, SOT-883

Package d'appareil du fournisseur

SOT-883VL

Dissipation de puissance (maximum)

100mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.66nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 3V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Vgs (Max)

10V

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