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NESG7030M04-A
DISCRETE RF DIODE
Numéro d'article
NESG7030M04-A
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-343F
Puissance - Max
125mW
Package d'appareil du fournisseur
M04
Type de transistor
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
30mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
4.3V
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 5mA, 2V
Fréquence - Transition
5.8GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f)
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Gagner
14dB ~ 21dB
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