Acheter Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6532P MOSFET N-CH DFN

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AON6532P

MOSFET N-CH DFN

Numéro d'article

AON6532P

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

Package d'appareil du fournisseur

Dissipation de puissance (maximum)

35.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

68A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

710mV @ 1A

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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