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AON2707

MOSFET P-CH 30V 4A DFN

Numéro d'article

AON2707

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-DFN-EP (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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