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AON2701_001

MOSFET P-CH W/DIODE DFN

Numéro d'article

AON2701_001

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-DFN (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Body)

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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