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AO4482L

AO4482L

MOSFET N-CH 100V 8SOIC
Numéro d'article
AO4482L
Série
-
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de AO4482L
AO4482L Composants électroniques
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