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AO4286

AO4286

MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC
Numéro d'article
AO4286
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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