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ALD212908APAL

ALD212908APAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Numéro d'article
ALD212908APAL
Fabricant/Marque
Série
EPAD®, Zero Threshold™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Puissance - Max
500mW
Package d'appareil du fournisseur
8-PDIP
Type FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
10.6V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
20mV @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Coordonnées
Mots-clés de ALD212908APAL
ALD212908APAL Composants électroniques
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