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ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Numéro d'article
ALD212900APAL
Fabricant/Marque
Série
EPAD®, Zero Threshold™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Puissance - Max
500mW
Package d'appareil du fournisseur
8-PDIP
Type FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
10.6V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(e) (Max) @ Id
10mV @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
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