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ALD114935PAL

ALD114935PAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Numéro d'article
ALD114935PAL
Fabricant/Marque
Série
EPAD®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Puissance - Max
500mW
Package d'appareil du fournisseur
8-PDIP
Type FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
10.6V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12mA, 3mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
540 Ohm @ 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.45V @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
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Coordonnées
Mots-clés de ALD114935PAL
ALD114935PAL Composants électroniques
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