onsemi (Ansemi)
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FDMC2610 N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ

FDMC2610

N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ
Numéro d'article
FDMC2610
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
WDFN-8
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
This N-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced Power Trench process. This product is ideal for power management applications.
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En stock 70047 PCS
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Mots-clés de FDMC2610
FDMC2610 Composants électroniques
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