Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricants
DC reverse withstand voltage (Vr) Silicon carbide200 Average rectified current (Io) 5 Reverse current (Ir) 0.2
Description
83889 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
67997 PCS
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Numéro d'article
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricants
Description
64954 PCS
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Numéro d'article
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricants
Description
72920 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
600V,3A
Description
52414 PCS
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Numéro d'article
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricants
Description
81964 PCS
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Numéro d'article
YFW (You Feng Wei)
Fabricants
Description
50587 PCS
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Numéro d'article
ST (STMicroelectronics)
Fabricants
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95681 PCS
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Numéro d'article
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricants
IF(A) 2 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 50
Description
59320 PCS
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Numéro d'article
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricants
IF(A) 2 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 50
Description
88953 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
2 pairs of Schottky diode arrays in series VR=30V IO=0.2A [email protected]
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79221 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
2 pairs of Schottky diode arrays in series VR=30V IO=0.2A [email protected]
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52958 PCS
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Numéro d'article
baocheng (Baocheng)
Fabricants
Fast recovery rectifier bridge: DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 3A Forward voltage drop (Vf): 1.1@3A Reverse current (Ir): 10μA@1kV Forward surge current ( Ifsm) 90A Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) GBP long legs
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76564 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
Description
74485 PCS
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